Abstract
В работе исследовано влияние ультразвуковых волн на адгезионную прочность золотых плёнок к кремнию n-типа при комнатной температуре (T ≈ 300 К). Эксперименты показали, что ультразвуковое воздействие приводит к значительному увеличению контактной разности потенциалов и напряжённости электрического поля между Au-плёнкой и Si-подложкой, что обусловливает рост адгезионной прочности более чем в 10 раз. Основным механизмом повышения адгезии является акустостимулированное увеличение концентрации ионизированных центров в приповерхностной области полупроводника. Полученные результаты открывают перспективы создания прочных Au–Si контактов без высокотемпературного термоотжига.
References
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.